ZXMN2B01FTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

100 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

4.8 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

806 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.02 mm

Länge:

3.04 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

ZXMN2B01

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

1.4 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6.1 S

Abfallzeit:

10.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.6 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

17.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.6 ns

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

ZXMN2B0, ZXMN2B, ZXMN2, ZXMN, ZXM