DMN1003UCA6-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

X3-DSN3518-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

23.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.3 mOhms, 2.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

500 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

56.5 nC, 56.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.67 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

6208 ns, 6208 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1694 ns, 1694 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

47479 ns, 4747 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

603 ns, 603 ns

Tags

DMN100, DMN10, DMN1, DMN