DMN1006UCA6-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

X3-DSN2718-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

12 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

16.6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5 mOhms, 5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

500 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

12 V

Qg - Gate-Ladung:

35.2 nC, 35.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.4 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

3812 ns, 3812 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

1447 ns, 1447 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

2736 ns, 2736 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

615 ns, 615 ns

Tags

DMN100, DMN10, DMN1, DMN