IRFH8337TR2PBF

IRFH8337TR2PBF
Mfr. #:
IRFH8337TR2PBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IRFH8337TR2PBF Datenblatt
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IR
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Spule
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PQFN-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
3.2 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
4.1 ns
Anstiegszeit
12 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
12 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
12.8 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
5.7 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
6.4 ns
Qg-Gate-Ladung
4.7 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
31 S
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IRFH8337, IRFH833, IRFH83, IRFH8, IRFH, IRF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 12A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Cont
***ernational Rectifier
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package
***ical
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN EP T/R
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin QFN EP T/R
***Components
MOSFET N-Channel 30V 12A HEXFET PQFN8EP
***i-Key
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
***trelec
MOSFET [IR] IRFH8337TR2PBF MOSFET
***ment14 APAC
MOSFET,N CH,W DIODE,30V,12A,PQFN56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0103ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:27W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:QFN; No. of Pins:8; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011)
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IRFH8337TR2PBF
DISTI # IRFH8337TR2PBFCT-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
Limited Supply - Call
    IRFH8337TR2PBF
    DISTI # IRFH8337TR2PBFDKR-ND
    Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Digi-Reel®
    Limited Supply - Call
      IRFH8337TR2PBF
      DISTI # 942-IRFH8337TR2PBF
      Infineon Technologies AGMOSFET MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg
      RoHS: Compliant
      0
        IRFH8337TR2PBFInternational Rectifier 
        RoHS: Compliant
        Europe - 400
          Bild Teil # Beschreibung
          IRFH8334TRPBF

          Mfr.#: IRFH8334TRPBF

          OMO.#: OMO-IRFH8334TRPBF

          MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC
          IRFH8330TRPBF

          Mfr.#: IRFH8330TRPBF

          OMO.#: OMO-IRFH8330TRPBF

          MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.6mOhms 9.3nC
          IRFH8337TRPBF

          Mfr.#: IRFH8337TRPBF

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          MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.8mOhms 4.7nC
          IRFH8337TRPBF-CUT TAPE

          Mfr.#: IRFH8337TRPBF-CUT TAPE

          OMO.#: OMO-IRFH8337TRPBF-CUT-TAPE-1190

          Neu und Original
          IRFH8337TRPBF.

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          OMO.#: OMO-IRFH8337TRPBF--1190

          Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:12A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):12.8mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.8V, Power Diss
          IRFH8334TRPBF

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          MOSFET N-CH 30V 44A 5X6 PQFN
          IRFH8337TRPBF

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          OMO.#: OMO-IRFH8337TRPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

          MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
          IRFH8334TR2PBF

          Mfr.#: IRFH8334TR2PBF

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          IGBT Transistors MOSFET 30V 999A SO-8
          IRFH8337TR2PBF

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          IGBT Transistors MOSFET MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg
          IRFH8330TR2PBF

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          OMO.#: OMO-IRFH8330TR2PBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

          IGBT Transistors MOSFET MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg
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