IRFH8330TRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PQFN-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

56 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.9 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.35 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

9.3 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

35 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.83 mm

Länge:

6 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

HEXFET Leistungs-MOSFET

Breite:

5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

61 S

Abfallzeit:

5.7 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

10 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9.2 ns

Teil # Aliase:

SP001566818

Tags

IRFH833, IRFH83, IRFH8, IRFH, IRF