BSZ096N10LS5ATMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSDSON-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

40 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

22 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

69 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3.3 mm

Serie:

OptiMOS 5

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

3.3 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

22 S

Entwicklungs-Kit:

EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7

Abfallzeit:

5.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.6 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.7 ns

Teil # Aliase:

BSZ096N10LS5 SP001352994

Gewichtseinheit:

0.001295 oz

Tags

BSZ09, BSZ0, BSZ