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EFC6612R-TF

EFC6612R-TF
Mfr. #:
EFC6612R-TF
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
EFC6612R-TF Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ON Semiconductor
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
CSP-6
Anzahl der Kanäle:
2 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
20 V
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
4.2 mOhms, 4.2 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
500 mV
Vgs - Gate-Source-Spannung:
12 V
Qg - Gate-Ladung:
27 nC, 27 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
2.5 W
Aufbau:
Dual
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Serie:
EFC6612R
Transistortyp:
2 N-channel
Marke:
ON Semiconductor
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
4.7 S, 4.7 S
Abfallzeit:
92 us, 92 us
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
640 ns, 640 ns
Werkspackungsmenge:
5000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
11.8 us, 11.8 us
Typische Einschaltverzögerungszeit:
30 ns, 30 ns
Tags
EFC6612, EFC661, EFC6, EFC
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Semiconductor
Power MOSFET, 20V, 5.1mΩ, 23A, Dual N-Channel
***et
Trans MOSFET N-CH 20V 23A 6-Pin EFCP T/R
***ark
Nch+Nch 23A 20V 4.4M Ohm / Reel
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
EFC6612R-TF
DISTI # EFC6612R-TF-ND		ON SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 5000:$0.3658
EFC6612R-TF
DISTI # EFC6612R-TF		ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 23A 6-Pin EFCP T/R - Tape and Reel (Alt: EFC6612R-TF)
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Reel		Americas - 0
  • 5000:$0.3259
  • 10000:$0.3239
  • 20000:$0.3199
  • 30000:$0.3159
  • 50000:$0.3079
EFC6612R-TFON Semiconductor 
RoHS: Not Compliant		2070000
  • 1000:$0.4100
  • 500:$0.4300
  • 100:$0.4500
  • 25:$0.4700
  • 1:$0.5100
EFC6612R-TF
DISTI # 863-EFC6612R-TF		ON SemiconductorMOSFET NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM
RoHS: Compliant		4994
  • 1:$0.8300
  • 10:$0.7000
  • 100:$0.5380
  • 500:$0.4760
  • 1000:$0.3750
  • 5000:$0.3330
  • 10000:$0.3210
  • 25000:$0.3100
Bild Teil # Beschreibung
TPD4E02B04DQAR

Mfr.#: TPD4E02B04DQAR

OMO.#: OMO-TPD4E02B04DQAR

 TVS Diodes / ESD Suppressors TPD4E02B04 4-Ch ESD Protection Diode
EFC3J018NUZTDG

Mfr.#: EFC3J018NUZTDG

OMO.#: OMO-EFC3J018NUZTDG

 MOSFET PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN
EFC8811R-TF

Mfr.#: EFC8811R-TF

OMO.#: OMO-EFC8811R-TF

 MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE S
CRCW06037K68FKEAC

Mfr.#: CRCW06037K68FKEAC

OMO.#: OMO-CRCW06037K68FKEAC

 Thick Film Resistors - SMD 1/10W 7.68Kohms 1% Commercial Use
DX07S024WJ1R350

Mfr.#: DX07S024WJ1R350

OMO.#: OMO-DX07S024WJ1R350

 USB Connectors VERT MNT SMT RCPT USB Type C
DX07S024WJ1R350

Mfr.#: DX07S024WJ1R350

OMO.#: OMO-DX07S024WJ1R350-JAE-ELECTRONICS

 CONN RCPT USB3.1 TYPEC 24POS SMD
TPD4E02B04DQAR

Mfr.#: TPD4E02B04DQAR

OMO.#: OMO-TPD4E02B04DQAR-TEXAS-INSTRUMENTS

 ESD Suppressor Diode Arrays 3.6V 10-Pin USON T/R
EFC8811R-TF

Mfr.#: EFC8811R-TF

OMO.#: OMO-EFC8811R-TF-ON-SEMICONDUCTOR

 MOSFET 2N-CH 6CSP
EFC3J018NUZTDG

Mfr.#: EFC3J018NUZTDG

OMO.#: OMO-EFC3J018NUZTDG-ON-SEMICONDUCTOR

 Dual N-Channel Power MOSFET
CRCW06037K68FKEAC

Mfr.#: CRCW06037K68FKEAC

OMO.#: OMO-CRCW06037K68FKEAC-VISHAY-DALE

 D11/CRCW0603-C 100 7K68 1% ET1
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1987
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1
0,83 $
0,83 $
10
0,70 $
7,00 $
100
0,54 $
53,80 $
500
0,48 $
238,00 $
1000
0,38 $
375,00 $
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