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IPB120N06S403ATMA1

IPB120N06S403ATMA1
Mfr. #:
IPB120N06S403ATMA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPB120N06S403ATMA1 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IPB120N06S403ATMA1 DatasheetIPB120N06S403ATMA1 Datasheet (P4-P6)IPB120N06S403ATMA1 Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-263-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
60 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
2.3 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
160 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
167 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Höhe:
4.4 mm
Länge:
10 mm
Serie:
XPB120N06
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
9.25 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
15 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
10 ns
Werkspackungsmenge:
1000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
80 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
40 ns
Teil # Aliase:
IPB120N06S4-03 IPB120N06S403XT SP000415558
Gewichtseinheit:
0.139332 oz
Tags
IPB120N06S40, IPB120N06S, IPB120N06, IPB120N0, IPB120N, IPB120, IPB12, IPB1, IPB
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPB120N06S403ATMA1
DISTI # V36:1790_06383435		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
RoHS: Compliant		1000
  • 10000:$1.4675
  • 5000:$1.5693
  • 2000:$1.7318
  • 1000:$1.9434
IPB120N06S403ATMA1
DISTI # IPB120N06S403ATMA1TR-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    IPB120N06S403ATMA1
    DISTI # 26193905    		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
    RoHS: Compliant    		1000
    • 1000:$1.9434
    IPB120N06S403ATMA1
    DISTI # IPB120N06S403ATMA1    		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263 - Bulk (Alt: IPB120N06S403ATMA1)
    Min Qty: 358
    Container: Bulk    		Americas - 0
    • 3580:$0.8889
    • 1790:$0.9049
    • 1074:$0.9369
    • 716:$0.9719
    • 358:$1.0079
    IPB120N06S4-03
    DISTI # 726-IPB120N06S4-03    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
    RoHS: Compliant    		246
    • 1:$2.0600
    • 10:$1.7500
    • 100:$1.4000
    • 500:$1.2300
    • 1000:$1.0200
    • 2000:$0.9450
    • 5000:$0.9100
    IPB120N06S403ATMA1
    DISTI # 726-IPB120N06S403XT    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
    RoHS: Compliant    		0
      IPB120N06S403ATMA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-263AB
      RoHS: Compliant      		1368
      • 1000:$0.9200
      • 500:$0.9700
      • 100:$1.0100
      • 25:$1.0500
      • 1:$1.1300
      Bild Teil # Beschreibung
      IPB120N06S402ATMA2

      Mfr.#: IPB120N06S402ATMA2

      OMO.#: OMO-IPB120N06S402ATMA2

      		 MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2
      IPB120N06N

      Mfr.#: IPB120N06N

      OMO.#: OMO-IPB120N06N-1190

      		 Neu und Original
      IPB120N06NG

      Mfr.#: IPB120N06NG

      OMO.#: OMO-IPB120N06NG-1190

      		 Neu und Original
      IPB120N06S4-02 4N0602

      Mfr.#: IPB120N06S4-02 4N0602

      OMO.#: OMO-IPB120N06S4-02-4N0602-1190

      		 Neu und Original
      IPB120N06S4-03 4N0603

      Mfr.#: IPB120N06S4-03 4N0603

      OMO.#: OMO-IPB120N06S4-03-4N0603-1190

      		 Neu und Original
      IPB120N06S4-H1

      Mfr.#: IPB120N06S4-H1

      OMO.#: OMO-IPB120N06S4-H1-1190

      		 Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB120N06S4-H1)
      IPB120N06S4-02

      Mfr.#: IPB120N06S4-02

      OMO.#: OMO-IPB120N06S4-02-124

      		 Darlington Transistors MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
      IPB120N06S402ATMA2

      Mfr.#: IPB120N06S402ATMA2

      OMO.#: OMO-IPB120N06S402ATMA2-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2
      IPB120N06S4-03

      Mfr.#: IPB120N06S4-03

      OMO.#: OMO-IPB120N06S4-03-317

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
      IPB120N06S403ATMA2

      Mfr.#: IPB120N06S403ATMA2

      OMO.#: OMO-IPB120N06S403ATMA2-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      3500
      Menge eingeben:
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