RN1119MFV,L3F

RN1119MFV,L3F
Mfr. #:
RN1119MFV,L3F
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN .1A 50V 1kohm
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RN1119MFV,L3F Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
RN1119MFV,L3F DatasheetRN1119MFV,L3F Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Bipolartransistoren – vorgespannt
RoHS:
Y
Aufbau:
Single
Polarität des Transistors:
NPN
Typischer Eingangswiderstand:
1 kOhms
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOT-723-3
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
120
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
50 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
100 mA
Spitzen-DC-Kollektorstrom:
100 mA
Pd - Verlustleistung:
150 mW
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
RN1119MFV
Verpackung:
Spule
Emitter- Basisspannung VEBO:
5 V
Marke:
Toshiba
Kanalmodus:
Erweiterung
Maximaler DC-Kollektorstrom:
100 mA
Produktart:
BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt
Werkspackungsmenge:
8000
Unterkategorie:
Transistoren
Gewichtseinheit:
0.000053 oz
Tags
RN1119M, RN1119, RN111, RN11, RN1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
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Packaging Boxes
***et
X34 Pb-F VESM TRANSISTOR Pd 150mW F 1Mhz (LF)
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Bild Teil # Beschreibung
RN1119MFV,L3F

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Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN .1A 50V 1kohm
RN1119MFV,L37F

Mfr.#: RN1119MFV,L37F

OMO.#: OMO-RN1119MFV-L37F

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
RN1119MFV(TPL3)

Mfr.#: RN1119MFV(TPL3)

OMO.#: OMO-RN1119MFV-TPL3-

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor
RN1119MFV(TPL3)

Mfr.#: RN1119MFV(TPL3)

OMO.#: OMO-RN1119MFV-TPL3--123

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resisto
RN1119MFV

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Neu und Original
RN1119MFV TL3T

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RN1119MFVL3F-ND

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Neu und Original
RN1119FV

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2500
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