RN1119MFV,L37F

RN1119MFV,L37F
Mfr. #:
RN1119MFV,L37F
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
RN1119MFV,L37F Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Bipolartransistoren – vorgespannt
RoHS:
Y
Aufbau:
Single
Polarität des Transistors:
NPN
Typischer Eingangswiderstand:
1 kOhms
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOT-723-3
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
120
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
50 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
100 mA
Pd - Verlustleistung:
150 mW
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
RN1119MFV
Verpackung:
Spule
Emitter- Basisspannung VEBO:
5 V
Marke:
Toshiba
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Produktart:
BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt
Werkspackungsmenge:
8000
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
RN1119M, RN1119, RN111, RN11, RN1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin VESM Embossed T/R
***
VESM TRAN PD 150MW F 1MHZ (LF
Bild Teil # Beschreibung
RN1119MFV,L3F

Mfr.#: RN1119MFV,L3F

OMO.#: OMO-RN1119MFV-L3F

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN .1A 50V 1kohm
RN1119MFV,L37F

Mfr.#: RN1119MFV,L37F

OMO.#: OMO-RN1119MFV-L37F

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
RN1119MFV(TPL3)

Mfr.#: RN1119MFV(TPL3)

OMO.#: OMO-RN1119MFV-TPL3-

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor
RN1119MFV(TPL3)

Mfr.#: RN1119MFV(TPL3)

OMO.#: OMO-RN1119MFV-TPL3--123

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resisto
RN1119MFV

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Neu und Original
RN1119MFV TL3T

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Neu und Original
RN1119MFVL3F-ND

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Verfügbarkeit
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1000
0,04 $
40,00 $
2500
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