SIHP125N60EF-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-220AB-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

25 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

109 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

31 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET

Serie:

EF

Marke:

Vishay / Siliconix

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

33 ns

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

33 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Tags

SIHP12, SIHP1, SIHP, SIH