SI4384DY-T1-GE3

SI4384DY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4384DY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.1W 8.5mohm @ 10V
Lebenszyklus:
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Datenblatt:
SI4384DY-T1-GE3 Datenblatt
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SI4384, SI438, SI43, SI4
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
***ark
Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor Fet, Ms-012Aa
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4384DY-T1-GE3
DISTI # SI4384DY-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
  • 2500:$0.7392
SI4384DY-T1-GE3
DISTI # 781-SI4384DY-GE3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 15A 3.1W 8.5mohm @ 10V
RoHS: Compliant
0
    SI4384DYT1GE3Vishay IntertechnologiesSmall Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
    RoHS: Compliant
    Europe - 2500
      Bild Teil # Beschreibung
      SI4384DY-T1-E3

      Mfr.#: SI4384DY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4384DY-T1-E3

      MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3
      SI4384DY-T1-GE3

      Mfr.#: SI4384DY-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI4384DY-T1-GE3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.1W 8.5mohm @ 10V
      SI4384DY-E3

      Mfr.#: SI4384DY-E3

      OMO.#: OMO-SI4384DY-E3-1190

      Neu und Original
      SI4384DY-T1-E3

      Mfr.#: SI4384DY-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI4384DY-T1-E3-VISHAY

      MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
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