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SIHB24N65ET1-GE3

SIHB24N65ET1-GE3
Mfr. #:
SIHB24N65ET1-GE3
Hersteller:
Vishay / Siliconix
Beschreibung:
MOSFET N-Channel 650V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIHB24N65ET1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SIHB24N65ET1-GE3 DatasheetSIHB24N65ET1-GE3 Datasheet (P4-P6)SIHB24N65ET1-GE3 Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
SIHB24N65ET1-GE3 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Vishay
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-263-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
700 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
24 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
145 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
4 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
81 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
250 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Höhe:
4.83 mm
Länge:
10.67 mm
Serie:
E
Breite:
9.65 mm
Marke:
Vishay / Siliconix
Abfallzeit:
69 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
84 ns
Werkspackungsmenge:
800
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
24 ns
Gewichtseinheit:
0.077603 oz
Tags
SIHB24, SIHB2, SIHB, SIH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
***ark
N-CHANNEL 650V
Industrial Power Solution
Vishay offers one of the industry’s broadest selections of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 
E Series High Voltage MOSFETs
Vishay Siliconix E Series High Voltage MOSFETs are super junction N-Channel power MOSFETs with a 30% reduction in specific ON-Resistance versus the S Series MOSFETs. These E Series high-performance MOSFETs feature low ON-resistance (RDS(on)), low input capacitance (Ciss), reduced capacitive switching losses, and ultra-low gate charge (Qg). The E series MOSFETs are also available in 850VDS high voltage variants with 3A drain current (ID), low RDS(ON) of 0.82Ω, and low gate charge (Qg). These high-performance MOSFETs come in different packages like TO-247AC, TO-220AB, TO-220 FULLPAK, TO-247AC, D2PAK (TO-263), IPAK (TO-251), DPAK (TO-252), and IPAK (TO-251). Typical applications include server and telecom power supplies, lighting, industrial, battery chargers, renewable energy, and SMPS.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIHB24N65ET1-GE3
DISTI # V36:1790_14140820		Vishay IntertechnologiesPower MOSFET0
  • 800000:$2.9040
  • 8000:$3.4800
  • 800:$3.5400
SIHB24N65ET1-GE3
DISTI # SIHB24N65ET1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 650V 24A TO263
RoHS: Not compliant
Min Qty: 800
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 800:$3.7126
SIHB24N65ET1-GE3
DISTI # SIHB24N65ET1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin D2PAK T/R - Bulk (Alt: SIHB24N65ET1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 800
Container: Bulk		Americas - 0
  • 8000:$2.6900
  • 3200:$2.7900
  • 4800:$2.7900
  • 1600:$2.9900
  • 800:$3.0900
SIHB24N65ET1-GE3
DISTI # 78-SIHB24N65ET1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET N-Channel 650V
RoHS: Compliant		0
  • 1:$5.9600
  • 10:$4.9400
  • 100:$4.0600
  • 250:$3.9400
  • 500:$3.5300
  • 1000:$2.9800
  • 2500:$2.8300
Bild Teil # Beschreibung
SIHB24N65EF-GE3

Mfr.#: SIHB24N65EF-GE3

OMO.#: OMO-SIHB24N65EF-GE3

 MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHB24N65ET5-GE3

Mfr.#: SIHB24N65ET5-GE3

OMO.#: OMO-SIHB24N65ET5-GE3

 MOSFET N-Channel 650V
SIHB24N65ET1-GE3

Mfr.#: SIHB24N65ET1-GE3

OMO.#: OMO-SIHB24N65ET1-GE3

 MOSFET N-Channel 650V
SIHB24N65E

Mfr.#: SIHB24N65E

OMO.#: OMO-SIHB24N65E-1190

 Neu und Original
SIHB24N65E-GE3

Mfr.#: SIHB24N65E-GE3

OMO.#: OMO-SIHB24N65E-GE3-VISHAY

 MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
SIHB24N65EF-GE3

Mfr.#: SIHB24N65EF-GE3

OMO.#: OMO-SIHB24N65EF-GE3-VISHAY

 MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
SIHB24N65EGE3

Mfr.#: SIHB24N65EGE3

OMO.#: OMO-SIHB24N65EGE3-1190

 Neu und Original
SIHB24N65ET1-GE3

Mfr.#: SIHB24N65ET1-GE3

OMO.#: OMO-SIHB24N65ET1-GE3-VISHAY

 MOSFET N-CH 650V 24A TO263
SIHB24N65E-E3

Mfr.#: SIHB24N65E-E3

OMO.#: OMO-SIHB24N65E-E3-VISHAY

 Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
SIHB24N65ET5-GE3

Mfr.#: SIHB24N65ET5-GE3

OMO.#: OMO-SIHB24N65ET5-GE3-VISHAY

 MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1500
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Der aktuelle Preis von SIHB24N65ET1-GE3 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
800
3,53 $
2 824,00 $
1600
2,98 $
4 768,00 $
3200
2,83 $
9 056,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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