NE685M33-T3-A

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

CEL

Produktkategorie:

HF-Bipolartransistoren

RoHS:

Y

Transistortyp:

Bipolar

Technologie:

Si

Polarität des Transistors:

NPN

Emitter- Basisspannung VEBO:

2 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.03 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Aufbau:

Single

Kollektor- Basisspannung VCBO:

9 V

DC-Stromverstärkung hFE Max:

75 at 10 mA at 3 V

Arbeitsfrequenz:

12000 MHz (Typ)

Typ:

Bipolares HF-Kleinsignal

Marke:

CEL

Pd - Verlustleistung:

130 mW

Produktart:

HF-Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

10000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

NE685M3, NE685M, NE685, NE68, NE6