T1G4020036-FS

T1G4020036-FS
Mfr. #:
T1G4020036-FS
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
T1G4020036-FS Datenblatt
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DHL FedEx Ups TNT EMS
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
MACOM
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Technologie:
GaN-Si
Verpackung:
Tablett
Marke:
MACOM
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
25
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
T1G402, T1G4, T1G
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QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
T1G4020036-FS
DISTI # 772-T1G4020036-FS
QorvoRF JFET Transistors DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
RoHS: Compliant
0
  • 25:$554.0000
Bild Teil # Beschreibung
T1G4020036-FL

Mfr.#: T1G4020036-FL

OMO.#: OMO-T1G4020036-FL

RF JFET Transistors DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
T1G4020036-FS

Mfr.#: T1G4020036-FS

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OMO.#: OMO-T1G4020036-FL-318

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OMO.#: OMO-T1G4020036-FS-318

RF JFET Transistors DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt
T1G4020036-FL-EVB

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