IXTN40P50P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Chassishalterung

Paket / Koffer:

SOT-227-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

40 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

230 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

205 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

890 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Serie:

IXTN40P50

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

23 S

Abfallzeit:

34 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

59 ns

Werkspackungsmenge:

10

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

90 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

37 ns

Gewichtseinheit:

1.058219 oz

Tags

IXTN4, IXTN, IXT