KSD363R

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

120 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

300 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

8 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

1 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

6 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

10 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

240

Höhe:

9.4 mm (Max)

Länge:

10.1 mm (Max)

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

4.7 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

6 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

40

Pd - Verlustleistung:

40 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

200

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

KSD363R_NL

Gewichtseinheit:

0.080072 oz

Tags

KSD363, KSD36, KSD3, KSD