IXFT30N60P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-268-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

30 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

240 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

5.1 mm

Länge:

16.05 mm

Serie:

IXFT30N60

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

14 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

27 S

Abfallzeit:

25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

80 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

29 ns

Gewichtseinheit:

0.158733 oz

Tags

IXFT30, IXFT3, IXFT, IXF