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2N6432

2N6432
Mfr. #:
2N6432
Hersteller:
Central Semiconductor
Beschreibung:
Bipolar Transistors - BJT 200Vcbo 200Vceo 6.0Vebo 100mA 500mW
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
2N6432 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Zentraler Halbleiter
Produktkategorie:
Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-18
Polarität des Transistors:
PNP
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
200 V
Kollektor- Basisspannung VCBO:
200 V
Emitter- Basisspannung VEBO:
5 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
0.5 V
Bandbreitenprodukt fT gewinnen:
50 MHz
Minimale Betriebstemperatur:
- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 200 C
Verpackung:
Schüttgut
Marke:
Zentraler Halbleiter
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
100 mA
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
25 at 1 mA, 10 V
Pd - Verlustleistung:
500 mW
Produktart:
BJTs - Bipolartransistoren
Werkspackungsmenge:
2000
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
2N6432 PBFREE
Tags
2N643, 2N64, 2N6
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Bipolar Transistor Small Signal PNP High Voltage 100mA 200V 3-Pin TO-18 Through Hole Box
***i-Key
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
2N6432
DISTI # 2N6432-ND		Central Semiconductor CorpTHROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
RoHS: Compliant
Min Qty: 2000
Container: Bulk		Temporarily Out of Stock
  • 2000:$1.7710
2N6432
DISTI # 2N6432		Central Semiconductor CorpBipolar Transistor Small Signal PNP High Voltage 100mA 200V 3-Pin TO-18 Through Hole Box - Boxed Product (Development Kits) (Alt: 2N6432)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2000
Container: Box		Americas - 0
    2N6432
    DISTI # 610-2N6432    		Central Semiconductor CorpBipolar Transistors - BJT 200Vcbo 200Vceo 6.0Vebo 100mA 500mW
    RoHS: Compliant    		0
    • 1:$3.1900
    • 10:$2.8500
    • 100:$2.6000
    • 250:$2.3500
    • 500:$1.9000
    • 1000:$1.7800
    • 2000:$1.6900
    • 4000:$1.6200
    2N6432  80
      Bild Teil # Beschreibung
      2N6508G

      Mfr.#: 2N6508G

      OMO.#: OMO-2N6508G

      		 SCRs 600V 25A
      2N6058

      Mfr.#: 2N6058

      OMO.#: OMO-2N6058-MICROSEMI

      		 PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
      2N6075A

      Mfr.#: 2N6075A

      OMO.#: OMO-2N6075A--1

      		 Silicon Controlled Rectifier 4A 600V (DRM/RRM) TO-126 Box - Boxed Product (Development Kits) (Alt: 2N6075A)
      2N60A3H-J

      Mfr.#: 2N60A3H-J

      OMO.#: OMO-2N60A3H-J-1190

      		 Neu und Original
      2N6277G

      Mfr.#: 2N6277G

      OMO.#: OMO-2N6277G-1190

      		 Neu und Original
      2N6464

      Mfr.#: 2N6464

      OMO.#: OMO-2N6464-1190

      		 Neu und Original
      2N65LL

      Mfr.#: 2N65LL

      OMO.#: OMO-2N65LL-1190

      		 Neu und Original
      2N6719

      Mfr.#: 2N6719

      OMO.#: OMO-2N6719-ON-SEMICONDUCTOR

      		 NPN HIGH VOLTAGE POWER 300V
      2N6759

      Mfr.#: 2N6759

      OMO.#: OMO-2N6759-1190

      		 Neu und Original
      2N6299

      Mfr.#: 2N6299

      OMO.#: OMO-2N6299-MICROSEMI

      		 Darlington Transistors Vcbo 80V Vceo 80V 5.0VA 120mA 75W
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      4500
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      1
      3,19 $
      3,19 $
      10
      2,85 $
      28,50 $
      100
      2,60 $
      260,00 $
      250
      2,35 $
      587,50 $
      500
      1,90 $
      950,00 $
      1000
      1,78 $
      1 780,00 $
      2000
      1,69 $
      3 380,00 $
      4000
      1,62 $
      6 480,00 $
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