OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hallo, melde dich anMein Konto
0 Wagen

BUZ32 H

BUZ32 H
Mfr. #:
BUZ32 H
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 200V 9.5A TO220-3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
BUZ32 H Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
BUZ32 H DatasheetBUZ32 H Datasheet (P4-P6)BUZ32 H Datasheet (P7-P9)BUZ32 H Datasheet (P10)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-220-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
200 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
9.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
400 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
75 W
Aufbau:
Single
Handelsname:
OptiMOS
Verpackung:
Rohr
Höhe:
15.65 mm
Länge:
10 mm
Serie:
BUZ32
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.4 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
30 nS
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
40 nS
Werkspackungsmenge:
500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
55 nS
Teil # Aliase:
BUZ32HXKSA1 SP000682998
Gewichtseinheit:
0.211644 oz
Tags
BUZ32H, BUZ32, BUZ3, BUZ
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
***i-Key
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
BUZ32 H
DISTI # BUZ32H-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		106In Stock
  • 100:$0.9003
  • 10:$1.0670
  • 1:$1.3500
BUZ32H3045AATMA1
DISTI # BUZ32H3045AATMA1-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tube		Limited Supply - Call
    BUZ 32 H
    DISTI # SP000682998    		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 (Alt: SP000682998)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1    		Europe - 580
    • 1000:€0.5019
    • 500:€0.5109
    • 100:€0.5249
    • 50:€0.5349
    • 25:€0.6149
    • 10:€0.7359
    • 1:€0.8769
    BUZ32HXKSA1
    DISTI # BUZ32HXKSA1    		Infineon Technologies AG- Bulk (Alt: BUZ32HXKSA1)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 610
    Container: Bulk    		Americas - 0
    • 6100:$0.5199
    • 3050:$0.5299
    • 1830:$0.5479
    • 1220:$0.5689
    • 610:$0.5899
    BUZ32HXKSA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
    RoHS: Compliant    		7900
    • 1000:$0.5400
    • 500:$0.5700
    • 100:$0.5900
    • 25:$0.6200
    • 1:$0.6600
    BUZ32H3045AInfineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AA
    RoHS: Compliant    		1249
    • 1000:$0.5500
    • 500:$0.5800
    • 100:$0.6100
    • 25:$0.6300
    • 1:$0.6800
    BUZ32HInfineon Technologies AG 
    RoHS: Compliant    		Europe - 2000
      Bild Teil # Beschreibung
      BUZ103AL

      Mfr.#: BUZ103AL

      OMO.#: OMO-BUZ103AL-1190

      		 35 A, 50 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
      BUZ10LE3045A

      Mfr.#: BUZ10LE3045A

      OMO.#: OMO-BUZ10LE3045A-1190

      		 Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
      BUZ18

      Mfr.#: BUZ18

      OMO.#: OMO-BUZ18-1190

      		 Neu und Original
      BUZ32

      Mfr.#: BUZ32

      OMO.#: OMO-BUZ32-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB
      BUZ32L3045A

      Mfr.#: BUZ32L3045A

      OMO.#: OMO-BUZ32L3045A-1190

      		 Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
      BUZ43

      Mfr.#: BUZ43

      OMO.#: OMO-BUZ43-1190

      		 Neu und Original
      BUZ78

      Mfr.#: BUZ78

      OMO.#: OMO-BUZ78-1190

      		 MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
      BUZ83A(BUZ83)

      Mfr.#: BUZ83A(BUZ83)

      OMO.#: OMO-BUZ83A-BUZ83--1190

      		 Neu und Original
      BUZ88A

      Mfr.#: BUZ88A

      OMO.#: OMO-BUZ88A-1190

      		 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
      BUZ901D

      Mfr.#: BUZ901D

      OMO.#: OMO-BUZ901D-1190

      		 N CHANNEL MOSFET, 200V, 16A, TO-3, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:16A, Drain Source Voltage Vds:200V, On Resistance Rds(on):0.75ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-, Thres
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      4000
      Menge eingeben:
      Der aktuelle Preis von BUZ32 H dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
      Beginnen mit
      Top