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2SC6097-E

2SC6097-E
Mfr. #:
2SC6097-E
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
2SC6097-E Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ON Semiconductor
Produktkategorie:
Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Y
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-251-3
Polarität des Transistors:
NPN
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
60 V
Kollektor- Basisspannung VCBO:
100 V
Emitter- Basisspannung VEBO:
6.5 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
100 mV
Maximaler DC-Kollektorstrom:
3 A
Bandbreitenprodukt fT gewinnen:
390 MHz
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Serie:
2SC6097
DC-Stromverstärkung hFE Max:
600
Verpackung:
Schüttgut
Marke:
ON Semiconductor
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
300
Produktart:
BJTs - Bipolartransistoren
Werkspackungsmenge:
500
Unterkategorie:
Transistoren
Gewichtseinheit:
0.011993 oz
Tags
2SC6097, 2SC609, 2SC60, 2SC6, 2SC
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***Semiconductor
Bipolar Transistor, 60V, 3A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA
***ical
Trans GP BJT NPN 60V 3A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
2SC6097-E
DISTI # 26994592		ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TP Bag
RoHS: Compliant		12500
  • 2500:$0.1870
2SC6097-E
DISTI # 2SC6097-EOS-ND		ON SemiconductorTRANS NPN 60V 3A TP
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bag		2488In Stock
  • 1000:$0.2631
  • 500:$0.3405
  • 100:$0.4334
  • 10:$0.5800
  • 1:$0.6800
2SC6097-E
DISTI # 2SC6097-E		ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin(3+Tab) TP Bulk - Bulk (Alt: 2SC6097-E)
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Bulk		Americas - 0
  • 2500:$0.1919
  • 3500:$0.1909
  • 6000:$0.1879
  • 12500:$0.1859
  • 25000:$0.1809
2SC6097-TL-E
DISTI # 863-2SC6097-TL-E		ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
RoHS: Compliant		2873
  • 1:$0.6100
  • 10:$0.5000
  • 100:$0.3220
  • 700:$0.2580
  • 2100:$0.2180
  • 9800:$0.2100
  • 24500:$0.2020
2SC6097-E
DISTI # 863-2SC6097-E		ON SemiconductorBipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
RoHS: Compliant		2370
  • 1:$0.6500
  • 10:$0.5330
  • 100:$0.3250
  • 1000:$0.2510
  • 2500:$0.2140
  • 10000:$0.2000
  • 25000:$0.1890
Bild Teil # Beschreibung
2SC5707-E

Mfr.#: 2SC5707-E

OMO.#: OMO-2SC5707-E

 Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
1N4148

Mfr.#: 1N4148

OMO.#: OMO-1N4148

 Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V Io/200mA BULK
RB095BGE-40TL

Mfr.#: RB095BGE-40TL

OMO.#: OMO-RB095BGE-40TL

 Schottky Diodes & Rectifiers 40V Vr; 6A Io TO-252 SBD
TPS560430XDBVR

Mfr.#: TPS560430XDBVR

OMO.#: OMO-TPS560430XDBVR

 Switching Voltage Regulators NIXON TPS560430XDBVR DC-DC CONVERTER
TPS560430XDBVR

Mfr.#: TPS560430XDBVR

OMO.#: OMO-TPS560430XDBVR-TEXAS-INSTRUMENTS

 IC REG BUCK PFM 600MA SOT23-6
SHT31-DIS-F2.5KS

Mfr.#: SHT31-DIS-F2.5KS

OMO.#: OMO-SHT31-DIS-F2-5KS-SENSIRION

 Neu und Original
R-78E9.0-0.5

Mfr.#: R-78E9.0-0.5

OMO.#: OMO-R-78E9-0-0-5-RECOM-POWER

 0.5A DC/DC-CONVERTER 'INNOLINE
RB095BGE-40TL

Mfr.#: RB095BGE-40TL

OMO.#: OMO-RB095BGE-40TL-ROHM-SEMI

 SCHOTTKY BARRIER DIODE
2SC5707-E

Mfr.#: 2SC5707-E

OMO.#: OMO-2SC5707-E-ON-SEMICONDUCTOR

 Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
1N4148

Mfr.#: 1N4148

OMO.#: OMO-1N4148-ON-SEMICONDUCTOR

 Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V Io/200mA BULK
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1984
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Menge
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ext. Preis
1
0,65 $
0,65 $
10
0,53 $
5,33 $
100
0,32 $
32,50 $
1000
0,25 $
251,00 $
2500
0,21 $
535,00 $
10000
0,20 $
2 000,00 $
25000
0,19 $
4 725,00 $
50000
0,18 $
9 250,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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