DMN33D8LDW-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

250 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.4 Ohms, 2.4 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

800 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

1.23 nC, 1.23 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

350 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

DMN33

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

13.6 ns, 13.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.6 ns, 2.6 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

18.2 ns, 18.2 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.9 ns, 2.9 ns

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

DMN33D, DMN33, DMN3, DMN