FQD5N60CTM-WS

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.5 Ohms

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.39 mm

Länge:

6.73 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Teil # Aliase:

FQD5N60CTM_WS

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

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