2SK3018T106

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

800 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

200 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.8 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

2SK3018

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

1.25 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

20 ms

Abfallzeit:

80 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

35 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

80 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

15 ns

Teil # Aliase:

2SK3018

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

2SK3018T10, 2SK3018T, 2SK3018, 2SK301, 2SK30, 2SK3, 2SK