MJD18002D2T4G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

450 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

1 kV

Emitter- Basisspannung VEBO:

11 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

2 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

13 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Höhe:

2.38 mm (Max)

Länge:

6.73 mm (Max)

Verpackung:

Spule

Breite:

6.22 mm (Max)

Marke:

ON Semiconductor

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

14

Pd - Verlustleistung:

50000 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

MJD18, MJD1, MJD