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VN2210N2

VN2210N2
Mfr. #:
VN2210N2
Hersteller:
Microchip Technology
Beschreibung:
MOSFET 100V 0.35Ohm
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
VN2210N2 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
VN2210N2 Mehr Informationen VN2210N2 Product Details
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Mikrochip
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
T
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-39-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
1.7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
350 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
6 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Schüttgut
Höhe:
6.6 mm
Länge:
9.4 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Typ:
FET
Breite:
9.4 mm
Marke:
Mikrochip-Technologie
Abfallzeit:
30 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
10 ns
Werkspackungsmenge:
500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
10 ns
Gewichtseinheit:
0.039133 oz
Tags
VN2210N, VN2210, VN221, VN22, VN2
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Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
    R***s
    R***s
    NL

    never arrived

    2019-05-01
    M***z
    M***z
    CL

    ok

    2019-05-16
***ark
Mosfet, N-Channel Enhancement-Mode, 100V, 0.35 Ohm Rohs Compliant: Yes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 100V 1.7A 3-Pin TO-39 Bag
***ure Electronics
N-Channel 100 V 0.35 O Through Hole Vertical DMOS FET - TO-39-3
***ser
MOSFETs - Enhancement Mode N-Channel 100V 0.35Ohm
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
VN2210N2
DISTI # V99:2348_06515999		Microchip Technology IncTrans MOSFET N-CH Si 100V 1.7A 3-Pin TO-39
RoHS: Compliant		337
  • 100:$10.8180
  • 25:$11.3390
  • 10:$12.1750
  • 1:$12.4469
VN2210N2
DISTI # VN2210N2-ND		Microchip Technology IncMOSFET N-CH 100V 1.7A TO39-3
RoHS: Not compliant
Min Qty: 1
Container: Bag		225In Stock
  • 100:$11.5072
  • 25:$11.8304
  • 1:$12.9000
VN2210N2
DISTI # 25853403		Microchip Technology IncTrans MOSFET N-CH Si 100V 1.7A 3-Pin TO-39
RoHS: Compliant		337
  • 25:$11.3390
  • 10:$12.1740
  • 1:$12.4469
VN2210N2
DISTI # 29020510		Microchip Technology IncTrans MOSFET N-CH Si 100V 1.7A 3-Pin TO-39
RoHS: Compliant		130
  • 100:$10.5053
  • 6:$10.7286
VN2210N2
DISTI # VN2210N2		Microchip Technology IncTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 3-Pin TO-39 - Bag (Alt: VN2210N2)
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Bag		Americas - 480
  • 500:$11.9900
  • 1000:$11.6900
  • 2000:$11.3900
  • 3000:$11.0900
  • 5000:$10.7900
VN2210N2
DISTI # 53Y4322		Microchip Technology IncMOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 100V, 0.35 Ohm3 TO-39 BAG0
  • 1:$13.8400
  • 10:$11.2400
  • 25:$10.8200
  • 50:$10.6100
  • 100:$10.4000
VN2210N2.
DISTI # 24AC4033		Microchip Technology IncMOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 100V, 0.35 OHM ROHS COMPLIANT: YES480
  • 1:$13.8400
  • 10:$11.2400
  • 25:$10.8200
  • 50:$10.6100
  • 100:$10.4000
VN2210N2
DISTI # 70453116		Microchip Technology IncMOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,100V,0.35 Ohm3 TO-39BAG
RoHS: Compliant		0
  • 500:$14.7400
VN2210N2
DISTI # 689-VN2210N2		Microchip Technology IncMOSFET 100V 0.35Ohm274
  • 1:$12.9100
  • 10:$12.7200
  • 25:$11.8400
  • 100:$10.7200
VN2210N2
DISTI # VN2210N2		Microchip Technology IncMOSFETN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE100V0.35 Ohm
RoHS: Compliant		0
  • 1000:$9.5700
  • 100:$10.4000
  • 26:$11.4900
  • 1:$12.5300
VN2210N2Microchip Technology Inc 130 In Stock
  • 1000:$9.5000
  • 500:$9.8500
  • 100:$10.0500
  • 25:$10.2600
  • 10:$10.4700
  • 3:$10.6800
VN2210N2
DISTI # VN2210N2		Microchip Technology Inc 130
  • 3:$10.4700
  • 25:$10.2600
  • 100:$10.0500
  • 500:$9.8500
  • 1000:$9.5000
VN2210N2
DISTI # C1S505200906346		Microchip Technology IncTrans MOSFET N-CH Si 100V 1.7A 3-Pin TO-39 Bag
RoHS: Compliant		370
  • 100:$10.9000
  • 25:$11.4320
  • 1:$12.4290
Bild Teil # Beschreibung
NCV5703ADR2G

Mfr.#: NCV5703ADR2G

OMO.#: OMO-NCV5703ADR2G

 Gate Drivers ORDERABLE PART NUMB ER OF
2N2219 PBFREE

Mfr.#: 2N2219 PBFREE

OMO.#: OMO-2N2219-PBFREE

 Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW
REF3450IDBVR

Mfr.#: REF3450IDBVR

OMO.#: OMO-REF3450IDBVR

 Voltage References REF3450 - 6 PPM/C IQ 95UA 4V
AS0805KRX7R9BB103

Mfr.#: AS0805KRX7R9BB103

OMO.#: OMO-AS0805KRX7R9BB103

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0.01uF 10% 50V AEC-Q200
REF3450IDBVR

Mfr.#: REF3450IDBVR

OMO.#: OMO-REF3450IDBVR-TEXAS-INSTRUMENTS

 REF3450 - 6 PPM/C IQ 95UA 5V
AS0805KRX7R9BB103

Mfr.#: AS0805KRX7R9BB103

OMO.#: OMO-AS0805KRX7R9BB103-YAGEO

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0.01uF 10% 50V AEC-Q200
CRCW1206100KFKEAC

Mfr.#: CRCW1206100KFKEAC

OMO.#: OMO-CRCW1206100KFKEAC-VISHAY-DALE

 D25/CRCW1206-C 100 100K 1% ET1
NCV5703ADR2G

Mfr.#: NCV5703ADR2G

OMO.#: OMO-NCV5703ADR2G-ON-SEMICONDUCTOR

 HIGH CURRENT GATE DRIVER
UPW1V390MDD1TD

Mfr.#: UPW1V390MDD1TD

OMO.#: OMO-UPW1V390MDD1TD-NICHICON

 Aluminum Electrolytic Capacitors - Leaded 39uF 35 Volts 20%
2N2219 PBFREE

Mfr.#: 2N2219 PBFREE

OMO.#: OMO-2N2219-PBFREE-1190

 Bipolar Transistors - BJT 60Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 800mA 800mW
Verfügbarkeit
Aktie:
117
Auf Bestellung:
2100
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von VN2210N2 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
12,89 $
12,89 $
10
12,71 $
127,10 $
25
11,82 $
295,50 $
100
11,49 $
1 149,00 $
250
11,22 $
2 805,00 $
500
10,25 $
5 125,00 $
1000
9,97 $
9 970,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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