IPW50R250CP

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

13 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

220 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

36 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

114 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.1 mm

Länge:

16.13 mm

Serie:

CoolMOS CE

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.21 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

11 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

14 ns

Werkspackungsmenge:

240

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

80 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

35 ns

Teil # Aliase:

IPW50R250CPFKSA1 IPW5R25CPXK SP000301162

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

IPW50R25, IPW50R2, IPW50, IPW5, IPW