STF10N60DM2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220FP-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

440 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

15 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

25 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

MDmesh

Serie:

STF10N60DM2

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

11.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

28 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Gewichtseinheit:

0.068784 oz

Tags

STF10N6, STF10N, STF10, STF1, STF