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DMN3035LWN-7

DMN3035LWN-7
Mfr. #:
DMN3035LWN-7
Hersteller:
Diodes Incorporated
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
DMN3035LWN-7 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
DMN3035LWN-7 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Eingebaute Dioden
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
DMN3035
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
8-PowerVDFN
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
V-DFN3020-8
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
Leistung max
770mW
Transistor-Typ
2 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
30V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
399pF @ 15V
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
5.5A
Rds-On-Max-Id-Vgs
35 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
9.9nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
1.78 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
2 ns 2 ns
Anstiegszeit
3.3 ns 3.3 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
+/- 20 V +/- 20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
5.5 A 5.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V 30 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
1 V 1 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
45 mOhms 45 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
10.6 ns 10.6 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
3 ns 3 ns
Qg-Gate-Ladung
9.9 nC 9.9 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
-
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
DMN303, DMN30, DMN3, DMN
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Transistor MOSFET Array Dual N-Channel 30V 5.5A 8-Pin VDFN T/R
***ure Electronics
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 770mW Surface Mount V-DFN3020-8
***ical
Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 8-Pin VDFN T/R
***des Inc SCT
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc. DMNxx MOSFETs
Diodes Inc. DMNxx MOSFETs are N-channel devices ideally suited for meeting the requirements of a variety of power management applications. DMNxx MOSFETs offer a variety of package options and a wide range of drain-source voltage values.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
DMN3035LWN-7
DISTI # DMN3035LWN-7DITR-ND		Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		On Order
  • 3000:$0.1817
DMN3035LWN-7
DISTI # DMN3035LWN-7DICT-ND		Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.2053
  • 500:$0.2657
  • 100:$0.3623
  • 10:$0.4830
  • 1:$0.5700
DMN3035LWN-7
DISTI # DMN3035LWN-7DIDKR-ND		Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$0.2053
  • 500:$0.2657
  • 100:$0.3623
  • 10:$0.4830
  • 1:$0.5700
DMN3035LWN-7
DISTI # DMN3035LWN-7		Diodes IncorporatedMOSFET BVDSS: 25V~30V V-DFN3020-8 T&R 3K - Tape and Reel (Alt: DMN3035LWN-7)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.1269
  • 6000:$0.1199
  • 12000:$0.1149
  • 18000:$0.1089
  • 30000:$0.1069
DMN3035LWN-7
DISTI # 621-DMN3035LWN-7		Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF
RoHS: Compliant		1
  • 1:$0.4700
  • 10:$0.3850
  • 100:$0.2350
  • 1000:$0.1820
  • 3000:$0.1550
DMN3035LWN-13
DISTI # 621-DMN3035LWN-13		Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V V-DFN3020-8 T&R 10K0
  • 1:$0.4700
  • 10:$0.3830
  • 100:$0.2340
  • 1000:$0.1810
  • 2500:$0.1540
Bild Teil # Beschreibung
DMN3033LDM-7

Mfr.#: DMN3033LDM-7

OMO.#: OMO-DMN3033LDM-7

 MOSFET NMOS-SINGLE
DMN3033LSNQ-7

Mfr.#: DMN3033LSNQ-7

OMO.#: OMO-DMN3033LSNQ-7

 MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 6A 1.4W 2.1V
DMN3032LFDB-7

Mfr.#: DMN3032LFDB-7

OMO.#: OMO-DMN3032LFDB-7

 MOSFET MOSFET BVDSS
DMN3031LSS-13

Mfr.#: DMN3031LSS-13

OMO.#: OMO-DMN3031LSS-13

 MOSFET SINGLE N-CHANNEL
DMN3031LSS

Mfr.#: DMN3031LSS

OMO.#: OMO-DMN3031LSS-1190

 Neu und Original
DMN3033LSD

Mfr.#: DMN3033LSD

OMO.#: OMO-DMN3033LSD-1190

 MOSFET, NN CH, W DIOD, 30V, 6.9A, SO8
DMN3033LSD-13-F

Mfr.#: DMN3033LSD-13-F

OMO.#: OMO-DMN3033LSD-13-F-1190

 Neu und Original
DMN3033LSN

Mfr.#: DMN3033LSN

OMO.#: OMO-DMN3033LSN-1190

 Neu und Original
DMN3032LE-13-CUT TAPE

Mfr.#: DMN3032LE-13-CUT TAPE

OMO.#: OMO-DMN3032LE-13-CUT-TAPE-1190

 Neu und Original
DMN3033LSD-13

Mfr.#: DMN3033LSD-13

OMO.#: OMO-DMN3033LSD-13-DIODES

 MOSFET NMOS-DUAL
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
4000
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
0,16 $
0,16 $
10
0,15 $
1,52 $
100
0,14 $
14,43 $
500
0,14 $
68,15 $
1000
0,13 $
128,30 $
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