ZXMD63P03XTC

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MSOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

270 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

870 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

2 P-Channel

Typ:

MOSFET

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

4.8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.8 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13.1 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

2.6 ns

Gewichtseinheit:

0.004938 oz

Tags

ZXMD63P03, ZXMD63P, ZXMD63, ZXMD6, ZXMD, ZXM