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IXTT30N60L2

IXTT30N60L2
Mfr. #:
IXTT30N60L2
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTT30N60L2 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IXYS
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
Linear L2
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
0.229281 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
TO-268
FET-Typ
MOSFET N-Kanal, Metalloxid
Leistung max
540W
Transistor-Typ
1 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
600V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
10700pF @ 25V
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
30A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
240 mOhm @ 15A, 10V
Vgs-th-Max-Id
4.5V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
335nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
540 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
43 ns
Anstiegszeit
65 ns
ID-Dauer-Drain-Strom
30 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
600 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
4.5 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
240 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
123 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
43 ns
Qg-Gate-Ladung
335 nC
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
10 S 18 S
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IXTT30, IXTT3, IXTT, IXT
Service Guarantees

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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 600 V 30 A 240 mO Surface Mount Linear L2 Power Mosfet - TO-268
***ical
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-268
***ment14 APAC
MOSFET,N CH,600V,30A,TO-268; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):240mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:540W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-268; No. of Pins:3; Current Id Max:30A; Voltage Vgs Max:20V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXTT30N60L2
DISTI # V36:1790_15876605		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-268
RoHS: Compliant		17
  • 1000:$8.4760
  • 500:$9.2310
  • 250:$10.0990
  • 100:$10.9570
  • 50:$11.2950
  • 25:$12.2010
  • 10:$13.1280
  • 1:$14.2980
IXTT30N60L2
DISTI # IXTT30N60L2-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 30A TO-268
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		152In Stock
  • 120:$12.2485
  • 30:$13.3293
  • 1:$15.8500
IXTT30N60L2
DISTI # 24334835		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-268
RoHS: Compliant		30
  • 60:$10.4160
  • 30:$10.6560
IXTT30N60L2
DISTI # 30552108		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-268
RoHS: Compliant		17
  • 10:$13.1280
  • 1:$14.2980
IXTT30N60L2
DISTI # 747-IXTT30N60L2		IXYS CorporationMOSFET 30 Amps 600V
RoHS: Compliant		122
  • 1:$16.5700
  • 10:$15.0700
  • 25:$13.9300
  • 50:$12.8200
  • 100:$12.5100
  • 250:$11.4600
  • 500:$10.4000
IXTT30N60L2IXYS CorporationN-Channel 600 V 30 A 240 mO Surface Mount Linear L2 Power Mosfet - TO-268
RoHS: Compliant		3Tube
  • 30:$14.2100
  • 60:$12.2200
IXTT30N60L2
DISTI # C1S331700091877		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-268
RoHS: Compliant		17
  • 50:$11.2950
Bild Teil # Beschreibung
IXTT3N200P3HV

Mfr.#: IXTT3N200P3HV

OMO.#: OMO-IXTT3N200P3HV

 Discrete Semiconductor Modules Disc Mosfet N-CH Std-Polar3 TO-268AA
IXTT30N60L2

Mfr.#: IXTT30N60L2

OMO.#: OMO-IXTT30N60L2

 MOSFET 30 Amps 600V
IXTT36N50P

Mfr.#: IXTT36N50P

OMO.#: OMO-IXTT36N50P

 MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
IXTT36P10

Mfr.#: IXTT36P10

OMO.#: OMO-IXTT36P10

 MOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds
IXTT30N60P

Mfr.#: IXTT30N60P

OMO.#: OMO-IXTT30N60P

 MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
IXTT36N50P

Mfr.#: IXTT36N50P

OMO.#: OMO-IXTT36N50P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
IXTT30N50L

Mfr.#: IXTT30N50L

OMO.#: OMO-IXTT30N50L-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 30 Amps 500V
IXTT30N60P

Mfr.#: IXTT30N60P

OMO.#: OMO-IXTT30N60P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
IXTT30N50P

Mfr.#: IXTT30N50P

OMO.#: OMO-IXTT30N50P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds
IXTT36P10

Mfr.#: IXTT36P10

OMO.#: OMO-IXTT36P10-IXYS-CORPORATION

 MOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
2000
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Der aktuelle Preis von IXTT30N60L2 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
12,71 $
12,71 $
10
12,08 $
120,78 $
100
11,44 $
1 144,26 $
500
10,81 $
5 403,45 $
1000
10,17 $
10 171,20 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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