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SIA813DJ-T1-GE3

SIA813DJ-T1-GE3
Mfr. #:
SIA813DJ-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIA813DJ-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SIA813DJ-GE3
Gewichtseinheit
0.000988 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SC-70-6
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single mit Schottky-Diode
Transistor-Typ
1 P-Channel
Pd-Verlustleistung
2.3 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
50 ns
Anstiegszeit
35 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
8 V
ID-Dauer-Drain-Strom
3.6 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 20 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
94 mOhms
Transistor-Polarität
P-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
40 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
10 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SIA81, SIA8, SIA
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
***i-Key
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
***ment14 APAC
P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.5A, SC-70; Transistor Polarity:P Channel + Schottky Diode; Continuous Drain Current Id:-4.5A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):460mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:-4500mA; Drain Source Voltage, Vds:-20V; On Resistance, Rds(on):0.46ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:8V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-1V; Power Dissipation, Pd:1.9W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIA813DJ-T1-GE3
DISTI # SIA813DJ-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.3350
SIA813DJ-T1-GE3
DISTI # SIA813DJ-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R - Tape and Reel (Alt: SIA813DJ-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.3049
  • 6000:$0.2959
  • 12000:$0.2839
  • 18000:$0.2759
  • 30000:$0.2689
SIA813DJ-T1-GE3
DISTI # 781-SIA813DJ-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$0.3050
  • 6000:$0.2840
  • 9000:$0.2740
  • 24000:$0.2630
Bild Teil # Beschreibung
SIA813DJ-T1-GE3

Mfr.#: SIA813DJ-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIA813DJ-T1-GE3

 MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V
SIA813DJ-T1-GE3

Mfr.#: SIA813DJ-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIA813DJ-T1-GE3-VISHAY

 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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Stückpreis
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1
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0,39 $
10
0,37 $
3,75 $
100
0,36 $
35,51 $
500
0,34 $
167,65 $
1000
0,32 $
315,60 $
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