SQS411ENW-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-1212-8W

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

16 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

27.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

50 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

53.6 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 P-Channel TrenchFET Power MOSFET

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

23 S

Abfallzeit:

6.4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

39.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10.5 ns

Tags

SQS41, SQS4, SQS