FDI040N06

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

168 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.2 mOhms

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

231 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Rohr

Höhe:

7.88 mm

Länge:

10.29 mm

Serie:

FDI040N06

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

N-Kanal-MOSFET

Breite:

4.83 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

169 S

Abfallzeit:

24 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

40 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

55 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

30 ns

Gewichtseinheit:

0.073511 oz

Tags

FDI04, FDI0, FDI