SIE806DF-T1-GE3

SIE806DF-T1-GE3
Mfr. #:
SIE806DF-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
MOSFET 30V 202A 125W 1.7mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIE806DF-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay / Siliconix
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SIE806DF-GE3
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PolarPAK-10
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
5.2 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Vgs-Gate-Source-Spannung
12 V
ID-Dauer-Drain-Strom
41.3 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
1.7 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Tags
SIE806, SIE80, SIE8, SIE
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIE806DF-T1-GE3
DISTI # SIE806DF-T1-GE3-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SIE806DF-T1-GE3
    DISTI # 781-SIE806DF-GE3
    Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 202A 125W 1.7mohm @ 10V
    RoHS: Compliant
    0
      Bild Teil # Beschreibung
      SIE806DF-T1-GE3

      Mfr.#: SIE806DF-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SIE806DF-T1-GE3-VISHAY

      MOSFET 30V 202A 125W 1.7mohm @ 10V
      SIE806DF-T1-E3

      Mfr.#: SIE806DF-T1-E3

      OMO.#: OMO-SIE806DF-T1-E3-VISHAY

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm @ 10V
      SIE806DF

      Mfr.#: SIE806DF

      OMO.#: OMO-SIE806DF-1190

      Neu und Original
      SIE806DF,SIE806DF-T1-E3

      Mfr.#: SIE806DF,SIE806DF-T1-E3

      OMO.#: OMO-SIE806DF-SIE806DF-T1-E3-1190

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