QPD1823

QPD1823
Mfr. #:
QPD1823
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
QPD1823 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
21 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
-
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
-
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
-
Ausgangsleistung:
220 W
Maximale Drain-Gate-Spannung:
-
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
-
Pd - Verlustleistung:
-
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
NI400-2
Verpackung:
Tablett
Anwendung:
Microcell-Basisstation, W-CDMA / LTE
Aufbau:
Single
Arbeitsfrequenz:
1.8 GHz to 2.4 GHz
Serie:
QPD
Marke:
Qorvo
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
-
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
250
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
1130969
Tags
QPD1, QPD
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QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Bild Teil # Beschreibung
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Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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