ZTX776

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

HF-Bipolartransistoren

RoHS:

Y

Transistortyp:

Bipolar

Technologie:

Si

Polarität des Transistors:

PNP

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

200 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Aufbau:

Single

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92

Verpackung:

Schüttgut

Kollektor- Basisspannung VCBO:

200 V

DC-Stromverstärkung hFE Max:

50

Höhe:

4.01 mm

Länge:

4.77 mm

Arbeitsfrequenz:

30 MHz

Typ:

Bipolares HF-Kleinsignal

Breite:

2.41 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

30 MHz (Min)

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Pd - Verlustleistung:

1000 mW

Produktart:

HF-Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

ZTX776, ZTX77, ZTX7, ZTX