STB25NM60N-1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

170 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

160 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

8.95 mm

Länge:

10 mm

Serie:

STB25NM60N

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.4 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

17 S

Abfallzeit:

24 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

18 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

94 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

24.5 ns

Gewichtseinheit:

0.050717 oz

Tags

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