TSM250N02DCQ RFG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TDFN-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

20 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

400 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

4.5 V

Qg - Gate-Ladung:

7.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

620 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 N-Channel

Marke:

Taiwan Halbleiter

Abfallzeit:

7.6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11.6 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.1 ns

Tags

TSM25, TSM2, TSM