STS9P3LLH6

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

12 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

24 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.7 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

StripFET

Verpackung:

Spule

Serie:

STS9P3LLH6

Transistortyp:

1 P-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

-

Abfallzeit:

18 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

93 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

50 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

13.2 ns

Gewichtseinheit:

0.017870 oz

Tags

STS9, STS