ZXMP6A16DN8TC

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

125 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

24.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.25 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

ZXMP6A

Transistortyp:

2 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

7.2 S

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.1 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

35 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.5 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

ZXMP6A16D, ZXMP6A16, ZXMP6, ZXMP, ZXM