IXTH6N50D2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

550 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

96 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erschöpfung

Verpackung:

Rohr

Serie:

IXTH6N50

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

2.8 S

Abfallzeit:

43 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

72 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

82 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

28 ns

Gewichtseinheit:

0.229281 oz

Tags

IXTH6N, IXTH6, IXTH, IXT