CGH55015F2

CGH55015F2
Mfr. #:
CGH55015F2
Hersteller:
N/A
Beschreibung:
RF JFET Transistors 4.5-6GHz 13Watt GaN Sm. Sig. Gain 12dB
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
CGH55015F2 Datenblatt
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Wolfspeed / Cree
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Verpackung
Tablett
Montageart
Schraube
Betriebstemperaturbereich
-
Paket-Koffer
440166
Technologie
GaN SiC
Aufbau
Single
Transistor-Typ
HEMT
Gewinnen
12 dB
Klasse
-
Ausgangsleistung
10 W
Pd-Verlustleistung
-
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 40 C
Anwendung
-
Arbeitsfrequenz
4.5 GHz to 6 GHz
ID-Dauer-Drain-Strom
1.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
120 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
- 3 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
-
Transistor-Polarität
N-Kanal
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
-
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
- 10 V to + 2 V
Gate-Source-Cutoff-Spannung
-
Maximum-Drain-Gate-Spannung
-
NF-Geräusch-Abbildung
-
P1dB-Kompressionspunkt
-
Tags
CGH55015F2, CGH55015, CGH5501, CGH55, CGH5, CGH
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Packaging Boxes
***i-Key
RF MOSFET HEMT 28V 440166
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
CGH55015F2
DISTI # CGH55015F2-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 28V 440166
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray
133In Stock
  • 1:$68.0200
CGH55015F2
DISTI # 941-CGH55015F2
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
RoHS: Compliant
93
  • 1:$68.0200
  • 10:$64.3500
  • 25:$62.5200
  • 50:$61.6000
  • 100:$61.1400
CGH55015F2
DISTI # CGH55015F2
WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
60
  • 1:$68.0200
Bild Teil # Beschreibung
CGH55015F1

Mfr.#: CGH55015F1

OMO.#: OMO-CGH55015F1

RF JFET Transistors GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 Watt
CGH55030F1

Mfr.#: CGH55030F1

OMO.#: OMO-CGH55030F1

RF JFET Transistors GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
CGH55030F2

Mfr.#: CGH55030F2

OMO.#: OMO-CGH55030F2

RF JFET Transistors GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt
CGH55015F1/P1

Mfr.#: CGH55015F1/P1

OMO.#: OMO-CGH55015F1-P1-1190

Neu und Original
CGH55015F2/P1

Mfr.#: CGH55015F2/P1

OMO.#: OMO-CGH55015F2-P1-1190

Neu und Original
CGH55030F2/P1

Mfr.#: CGH55030F2/P1

OMO.#: OMO-CGH55030F2-P1-1190

Neu und Original
CGH55030F2/P2

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OMO.#: OMO-CGH55030F2-P2-1190

Neu und Original
CGH5506194FLF

Mfr.#: CGH5506194FLF

OMO.#: OMO-CGH5506194FLF-1190

Thick Film Resistors - Through Hole
CGH55015F2

Mfr.#: CGH55015F2

OMO.#: OMO-CGH55015F2-WOLFSPEED

RF JFET Transistors 4.5-6GHz 13Watt GaN Sm. Sig. Gain 12dB
CGH55030F1

Mfr.#: CGH55030F1

OMO.#: OMO-CGH55030F1-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 28V 440166
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38 976,75 $
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