FDG6304P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-323-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

410 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.1 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

FDG6304P

Transistortyp:

2 P-Channel

Typ:

FET

Breite:

1.25 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.9 S

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

55 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns

Teil # Aliase:

FDG6304P_NL

Gewichtseinheit:

0.000988 oz

Tags

FDG6304, FDG630, FDG63, FDG6, FDG