IRF7341TRPBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

55 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

56 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

24 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

7.9 S

Abfallzeit:

13 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.2 ns

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

32 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8.3 ns

Teil # Aliase:

SP001554204

Gewichtseinheit:

0.017870 oz

Tags

IRF7341TRP, IRF7341T, IRF7341, IRF734, IRF73, IRF7, IRF