TK62J60W,S1VQ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-3PN-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

61.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

33 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.7 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

180 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

30 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

20 mm

Länge:

15.5 mm

Serie:

TK62J60W

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.5 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

58 ns

Werkspackungsmenge:

25

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

310 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

115 ns

Gewichtseinheit:

0.245577 oz

Tags

TK62J, TK62, TK6