NVHL080N120SC1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1200 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

44 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

162 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.8 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

- 15 V, 25 V

Qg - Gate-Ladung:

56 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

348 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

13 S

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

5.8 ns

Werkspackungsmenge:

450

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

28 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6.2 ns

Tags

NVHL0, NVHL, NVH