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SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3
Mfr. #:
SI4890BDY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 30V 16A 5.7W 12mohm @ 10V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI4890BDY-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Verpackung
Spule
Teil-Aliasnamen
SI4890BDY-GE3
Gewichtseinheit
0.006596 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SOIC-Narrow-8
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
2.5 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
8 ns
Anstiegszeit
10 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
25 V
ID-Dauer-Drain-Strom
10.7 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
12 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
20 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
20 ns
Qg-Gate-Ladung
20 nC
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SI4890, SI489, SI48, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
Si4890BDY Series N-Channel 30 V 12 mOhms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 10.7A 8-Pin SOIC N T/R
***ark
N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.6V; Power Dissipation Pd:2.5W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI4890BDY-T1-GE3
DISTI # SI4890BDY-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 2500:$0.5852
SI4890BDY-T1-GE3
DISTI # SI4890BDY-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10.7A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4890BDY-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: Reel		Americas - 0
  • 2500:$0.5529
  • 5000:$0.5359
  • 10000:$0.5139
  • 15000:$0.4999
  • 25000:$0.4869
SI4890BDY-T1-GE3
DISTI # SI4890BDY-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 10.7A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4890BDY-T1-GE3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape and Reel		Europe - 0
  • 2500:€0.7209
  • 5000:€0.4919
  • 10000:€0.4229
  • 15000:€0.3909
  • 25000:€0.3639
SI4890BDY-T1-GE3
DISTI # 781-SI4890BDY-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 16A 5.7W 12mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
    Bild Teil # Beschreibung
    SI4890BDY-T1-GE3

    Mfr.#: SI4890BDY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI4890BDY-T1-GE3

    		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3
    SI4890BDY-T1-GE3

    Mfr.#: SI4890BDY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI4890BDY-T1-GE3-VISHAY

    		 IGBT Transistors MOSFET 30V 16A 5.7W 12mohm @ 10V
    SI4890BDY-T1-E3

    Mfr.#: SI4890BDY-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI4890BDY-T1-E3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 16A 5.7W 12mohm @ 10V
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    Available
    Auf Bestellung:
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    0,73 $
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    65,73 $
    500
    0,62 $
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    0,58 $
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