IXTU02N50D

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

500 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

30 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.1 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erschöpfung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.22 mm

Länge:

6.73 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

IXTU02N50

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.38 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

4 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4 ns

Werkspackungsmenge:

75

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

28 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

9 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXTU0, IXTU, IXT