OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
Hallo, melde dich anMein Konto
0 Wagen

IXTQ110N10P

IXTQ110N10P
Mfr. #:
IXTQ110N10P
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTQ110N10P Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXTQ110N10P DatasheetIXTQ110N10P Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXTQ110N10P Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-3P-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
110 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
15 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
5 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
110 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
480 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
PolarHT
Verpackung:
Rohr
Höhe:
20.3 mm
Länge:
15.8 mm
Serie:
IXTQ110N10
Transistortyp:
1 N-Channel
Typ:
PolarHT Leistungs-MOSFET
Breite:
4.9 mm
Marke:
IXYS
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
30 S
Abfallzeit:
25 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
25 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
65 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
21 ns
Gewichtseinheit:
0.194007 oz
Tags
IXTQ11, IXTQ1, IXTQ, IXT
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
***trelec
MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-3P Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 480 W
***i-Key
MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P
***ark
MOSFET, N, TO-3P; Transistor type:Standard; Voltage, Vds typ:100V; Current, Id cont:110A; Resistance, Rds on:0.015R; Voltage, Vgs Rds on measurement:10V; Voltage, Vgs th typ:5V; Case style:TO-3P; Capacitance, Ciss typ:3550pF; Charge, RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, TO-3P; Transistor Type:Standard; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:110A; Resistance, Rds On:0.015ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-3P; Termination Type:Through Hole; Capacitance, Ciss Typ:3550pF; Charge, Gate N-channel:110nC; Pins, No. of:3; Power, Pd:480W; Thermal Resistance, Junction to Case A:0.31°C/W; Voltage, Vds Max:100V; Time, trr Max:130ns
Electrical Vehicle AC Chargers
Although simpler in nature compared to DC chargers, AC charging stations safely deliver AC power from the electrical grid into the vehicle. Due to space and weight constraints in the vehicle, on-board chargers and AC charging stations are typically limited to lower amounts of power (22kW or less), which means charging time is slow – taking several hours. These systems also rely on a vehicle’s on-board charger to enable the conversion of AC power from the grid into DC power to charge the vehicle’s battery. It’s critical that proper measures are taken to safeguard both the charger and vehicle.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXTQ110N10P
DISTI # V36:1790_15876282		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
RoHS: Compliant		0
    IXTQ110N10P
    DISTI # IXTQ110N10P-ND    		IXYS CorporationMOSFET N-CH 100V 110A TO-3P
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 30
    Container: Tube    		Temporarily Out of Stock
    • 30:$4.4100
    IXTQ110N10P
    DISTI # 747-IXTQ110N10P    		IXYS CorporationMOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
    RoHS: Compliant    		31
    • 1:$6.3000
    • 10:$5.6300
    • 25:$4.9000
    • 50:$4.8000
    • 100:$4.6200
    • 250:$3.9500
    • 500:$3.7400
    • 1000:$3.1600
    • 2500:$2.7100
    IXTQ110N10P
    DISTI # IXTQ110N10P    		IXYS CorporationTransistor: N-MOSFET,PolarHT™,unipolar,100V,110A,480W,TO3P22
    • 1:$4.1800
    • 3:$3.9000
    • 10:$3.6200
    • 30:$3.4900
    Bild Teil # Beschreibung
    MIC4427YM-TR

    Mfr.#: MIC4427YM-TR

    OMO.#: OMO-MIC4427YM-TR

    		 Gate Drivers 1.5A Dual High Speed MOSFET Driver
    43020-1000

    Mfr.#: 43020-1000

    OMO.#: OMO-43020-1000-410

    		 Headers & Wire Housings PLUG PNL MNT 10P DUAL ROW
    43025-1800

    Mfr.#: 43025-1800

    OMO.#: OMO-43025-1800-410

    		 Headers & Wire Housings RECEPTACLE 18P DUAL ROW
    MIC4427YM-TR

    Mfr.#: MIC4427YM-TR

    OMO.#: OMO-MIC4427YM-TR-MICROCHIP-TECHNOLOGY

    		 Gate Drivers
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    31
    Auf Bestellung:
    2014
    Menge eingeben:
    Der aktuelle Preis von IXTQ110N10P dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
    Referenzpreis (USD)
    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    6,30 $
    6,30 $
    10
    5,63 $
    56,30 $
    25
    4,90 $
    122,50 $
    50
    4,80 $
    240,00 $
    100
    4,62 $
    462,00 $
    250
    3,95 $
    987,50 $
    500
    3,74 $
    1 870,00 $
    1000
    3,16 $
    3 160,00 $
    2500
    2,71 $
    6 775,00 $
    Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
    Beginnen mit
    Neueste Produkte
    More Newest Products
    Top